Вопрос ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΌ, ΠΊΠ°ΠΊΠΎΠΉ Ρ‚ΠΈΠΏ Ρ„Π»Π΅Ρˆ-памяти Π²Ρ‹Π±Ρ€Π°Ρ‚ΡŒ для Π°Π²Ρ‚ΠΎΠΌΠΎΠ±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΌΠ΅Π΄ΠΈΠΉΠ½ΠΎΠΉ систСмы, видСорСгистратора ΠΈΠ»ΠΈ Π½Π°Π²ΠΈΠ³Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π°, часто встаСт ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄ Π°Π²Ρ‚ΠΎΠ²Π»Π°Π΄Π΅Π»ΡŒΡ†Π°ΠΌΠΈ, ΠΆΠ΅Π»Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΌΠΈ ΠΎΠ±Π½ΠΎΠ²ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΊΠ°Ρ€Ρ‚Ρƒ памяти ΠΈΠ»ΠΈ Π·Π°ΠΌΠ΅Π½ΠΈΡ‚ΡŒ ΡˆΡ‚Π°Ρ‚Π½ΠΎΠ΅ Ρ…Ρ€Π°Π½ΠΈΠ»ΠΈΡ‰Π΅. На ΠΏΠΎΠ»ΠΊΠ°Ρ… ΠΌΠ°Π³Π°Π·ΠΈΠ½ΠΎΠ² элСктроники ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π²ΡΡ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΊΠ°Ρ€Ρ‚Ρ‹ с ΠΌΠ°Ρ€ΠΊΠΈΡ€ΠΎΠ²ΠΊΠΎΠΉ MLC ΠΈ TLC, ΠΈ Π½Π΅ΠΎΠΏΡ‹Ρ‚Π½ΠΎΠΌΡƒ ΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŽ слоТно ΠΏΠΎΠ½ΡΡ‚ΡŒ, Π² Ρ‡Π΅ΠΌ кроСтся ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½Π°Ρ Ρ€Π°Π·Π½ΠΈΡ†Π° ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π½ΠΈΠΌΠΈ. ΠžΡ‚ этого Π²Ρ‹Π±ΠΎΡ€Π° Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΌΡƒΡŽ зависит Π½Π΅ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ ΡΠΊΠΎΡ€ΠΎΡΡ‚ΡŒ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ интСрфСйса вашСй ΠΌΠ°Π³Π½ΠΈΡ‚ΠΎΠ»Ρ‹ Android, Π½ΠΎ ΠΈ срок слуТбы накопитСля Π² ТСстких условиях эксплуатации.

ΠΠ²Ρ‚ΠΎΠΌΠΎΠ±ΠΈΠ»ΡŒΠ½Π°Ρ элСктроника ΠΏΡ€Π΅Π΄ΡŠΡΠ²Π»ΡΠ΅Ρ‚ спСцифичСскиС трСбования ΠΊ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚Π°ΠΌ, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΏΠ°Π΄Ρ‹ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€, Π²ΠΈΠ±Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ ΠΈ постоянныС Ρ†ΠΈΠΊΠ»Ρ‹ пСрСзаписи Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ быстро вывСсти ΠΈΠ· строя нСкачСствСнноС устройство хранСния. ПониманиС Ρ„ΠΈΠ·ΠΈΠΊΠΈ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ ячССк памяти ΠΏΠΎΠΌΠΎΠ³Π°Π΅Ρ‚ ΠΈΠ·Π±Π΅ΠΆΠ°Ρ‚ΡŒ ситуаций, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° рСгистратор пСрСстаСт ΠΏΠΈΡΠ°Ρ‚ΡŒ Π°Ρ€Ρ…ΠΈΠ²Ρ‹ посрСди Π²Π°ΠΆΠ½ΠΎΠΉ ΠΏΠΎΠ΅Π·Π΄ΠΊΠΈ, Π° Π½Π°Π²ΠΈΠ³Π°Ρ‚ΠΎΡ€ Π½Π°Ρ‡ΠΈΠ½Π°Π΅Ρ‚ Β«Π·Π°ΠΈΠΊΠ°Ρ‚ΡŒΡΡΒ» ΠΏΡ€ΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΠΊΠ»Π°Π΄ΠΊΠ΅ ΠΌΠ°Ρ€ΡˆΡ€ΡƒΡ‚Π°. ΠœΡ‹ Π΄Π΅Ρ‚Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎ Ρ€Π°Π·Π±Π΅Ρ€Π΅ΠΌ тСхничСскиС особСнности, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ Π²Ρ‹ ΠΌΠΎΠ³Π»ΠΈ ΠΏΡ€ΠΈΠ½ΡΡ‚ΡŒ взвСшСнноС Ρ€Π΅ΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅.

Π“Π»Π°Π²Π½ΠΎΠ΅ Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ΅ кроСтся Π² количСствС Π±ΠΈΡ‚ ΠΈΠ½Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠ°Ρ†ΠΈΠΈ, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ способна Ρ…Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΎΠ΄Π½Π° ячСйка памяти NAND. ИмСнно этот ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ Π΄ΠΈΠΊΡ‚ΡƒΠ΅Ρ‚ всю Π΄Π°Π»ΡŒΠ½Π΅ΠΉΡˆΡƒΡŽ Π»ΠΎΠ³ΠΈΠΊΡƒ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€Π° ΠΈ опрСдСляСт баланс ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ ΡΡ‚ΠΎΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ, объСмом ΠΈ Π½Π°Π΄Π΅ΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ. MLC (Multi-Level Cell) Ρ…Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‚ Π΄Π²Π° Π±ΠΈΡ‚Π° Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… Π² ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ ячСйкС, Ρ‚ΠΎΠ³Π΄Π° ΠΊΠ°ΠΊ TLC (Triple-Level Cell) β€” ΡƒΠΆΠ΅ Ρ‚Ρ€ΠΈ Π±ΠΈΡ‚Π°. Казалось Π±Ρ‹, прогрСсс ΠΎΡ‡Π΅Π²ΠΈΠ΄Π΅Π½, Π½ΠΎ Π² условиях Ρ€Π΅Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ использования Π² Π°Π²Ρ‚ΠΎΠΌΠΎΠ±ΠΈΠ»Π΅ высокая ΠΏΠ»ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ записи ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ свою Ρ†Π΅Π½Ρƒ.

ЀизичСскиС ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏΡ‹ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ ячССк памяти

ΠŸΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏ хранСния Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… Π²ΠΎ Ρ„Π»Π΅Ρˆ-памяти основан Π½Π° ΡƒΠ΄Π΅Ρ€ΠΆΠ°Π½ΠΈΠΈ элСктричСского заряда Π² ΠΏΠ»Π°Π²Π°ΡŽΡ‰Π΅ΠΌ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π΅ транзистора. Π’ Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΈ MLC ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ΅Π½ Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π°Ρ‚ΡŒ всСго Ρ‡Π΅Ρ‚Ρ‹Ρ€Π΅ уровня заряда (00, 01, 10, 11), Ρ‡Ρ‚ΠΎ позволяСт Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ с мСньшими напряТСниями ΠΈ обСспСчиваСт Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ Π²Ρ‹ΡΠΎΠΊΡƒΡŽ ΡΠΊΠΎΡ€ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΎΡ‚ΠΊΠ»ΠΈΠΊΠ°. Π’ случаС с TLC систСмС приходится Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π°Ρ‚ΡŒ восСмь ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π½Π΅ΠΉ заряда, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ услоТняСт процСсс считывания ΠΈ записи, дСлая Π΅Π³ΠΎ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ Ρ‡ΡƒΠ²ΡΡ‚Π²ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ ΠΊ ΠΏΠΎΠΌΠ΅Ρ…Π°ΠΌ ΠΈ Π΄Π΅Π³Ρ€Π°Π΄Π°Ρ†ΠΈΠΈ диэлСктрика.

Π£Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ количСства ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π½Π΅ΠΉ заряда Π² ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ ячСйкС ΠΏΡ€ΠΈΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ ΠΊ сниТСнию запаса надСТности. Если Π² Π΄Π²ΡƒΡ…Π±ΠΈΡ‚ΠΎΠ²ΠΎΠΉ ячСйкС ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π½ΠΈ напряТСния разнСсСны достаточно ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΎ, Ρ‚ΠΎ Π² Ρ‚Ρ€Π΅Ρ…Π±ΠΈΡ‚ΠΎΠ²ΠΎΠΉ ΠΎΠ½ΠΈ находятся ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ Π±Π»ΠΈΠ·ΠΊΠΎ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ ΠΊ Π΄Ρ€ΡƒΠ³Ρƒ. Π­Ρ‚ΠΎ ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π°Π΅Ρ‚, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π΄Π°ΠΆΠ΅ Π½Π΅Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Π°Ρ ΡƒΡ‚Π΅Ρ‡ΠΊΠ° заряда ΠΈΠ»ΠΈ элСктричСский ΡˆΡƒΠΌ, Ρ…Π°Ρ€Π°ΠΊΡ‚Π΅Ρ€Π½Ρ‹ΠΉ для Π±ΠΎΡ€Ρ‚ΠΎΠ²ΠΎΠΉ сСти автомобиля, ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ привСсти ΠΊ ошибкС считывания. ΠšΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€Ρƒ приходится ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ слоТныС Π°Π»Π³ΠΎΡ€ΠΈΡ‚ΠΌΡ‹ ΠΊΠΎΡ€Ρ€Π΅ΠΊΡ†ΠΈΠΈ ошибок (ECC), Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π·Π°Π½ΠΈΠΌΠ°Π΅Ρ‚ Π΄ΠΎΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ врСмя.

Π‘ Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠΈ зрСния Ρ„ΠΈΠ·ΠΈΠΊΠΈ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ², рСсурс ячСйки опрСдСляСтся количСством Ρ†ΠΈΠΊΠ»ΠΎΠ² пСрСзаписи, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ ΠΎΠ½Π° ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π²Ρ‹Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠ°Ρ‚ΡŒ Π΄ΠΎ ΠΌΠΎΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° диэлСктрик пСрСстанСт Π½Π°Π΄Π΅ΠΆΠ½ΠΎ ΡƒΠ΄Π΅Ρ€ΠΆΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒ заряд. ΠŸΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ TLC ячСйки ΠΏΠΎΠ΄Π²Π΅Ρ€Π³Π°ΡŽΡ‚ΡΡ Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠ΅ΠΌΡƒ элСктричСскому стрСссу ΠΏΡ€ΠΈ ΠΊΠ°ΠΆΠ΄ΠΎΠΌ Ρ†ΠΈΠΊΠ»Π΅ записи ΠΈΠ·-Π·Π° нСобходимости Ρ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΎΠ³ΠΎ позиционирования ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π½Π΅ΠΉ напряТСния, ΠΈΡ… физичСский износ происходит быстрСС. Π­Ρ‚ΠΎ Ρ„ΡƒΠ½Π΄Π°ΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ ΠΎΠ³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΈ, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ΅ Π½Π΅Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ ΠΎΠ±ΠΎΠΉΡ‚ΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠ½Ρ‹ΠΌΠΈ ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄Π°ΠΌΠΈ.

⚠️ Π’Π½ΠΈΠΌΠ°Π½ΠΈΠ΅: ИспользованиС дСшСвой TLC памяти Π² устройствах с интСнсивной цикличСской записью (Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€, видСорСгистраторы с Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠ΅ΠΉ G-сСнсора) ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ привСсти ΠΊ ΠΏΠΎΡ‚Π΅Ρ€Π΅ Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… ΡƒΠΆΠ΅ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· 6-12 мСсяцСв Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΠΉ эксплуатации.

Π’Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π½Ρ‹ΠΉ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΠΈΠ³Ρ€Π°Π΅Ρ‚ ΠΊΡ€ΠΈΡ‚ΠΈΡ‡Π΅ΡΠΊΡƒΡŽ Ρ€ΠΎΠ»ΡŒ. Π›Π΅Ρ‚ΠΎΠΌ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π° Π²Π½ΡƒΡ‚Ρ€ΠΈ салона ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΏΡ€Π΅Π²Ρ‹ΡˆΠ°Ρ‚ΡŒ 60-70 градусов ЦСльсия, Π° Π·ΠΈΠΌΠΎΠΉ ΠΎΠΏΡƒΡΠΊΠ°Ρ‚ΡŒΡΡ Π΄ΠΎ -30. MLC Ρ‡ΠΈΠΏΡ‹ Ρ‚Ρ€Π°Π΄ΠΈΡ†ΠΈΠΎΠ½Π½ΠΎ Π»ΡƒΡ‡ΡˆΠ΅ пСрСносят ΡΠΊΡΡ‚Ρ€Π΅ΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹, сохраняя ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ заряда. Π’ Ρ‚ΠΎ ΠΆΠ΅ врСмя, соврСмСнныС TLC Π½Π°ΠΊΠΎΠΏΠΈΡ‚Π΅Π»ΠΈ Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΡƒΡŽΡ‚ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ слоТной систСмы управлСния Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€ΠΎΠΉ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π½Π΅ всСгда рСализуСтся Π² ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ°ΠΊΡ‚Π½Ρ‹Ρ… корпусах Π°Π²Ρ‚ΠΎΠΌΠΎΠ±ΠΈΠ»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… Π³Π°Π΄ΠΆΠ΅Ρ‚ΠΎΠ².

РСсурс пСрСзаписи ΠΈ Π΄ΠΎΠ»Π³ΠΎΠ²Π΅Ρ‡Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Π² Π°Π²Ρ‚ΠΎΠΌΠΎΠ±ΠΈΠ»Π΅

Одним ΠΈΠ· ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π²Ρ‹Ρ… ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² ΠΏΡ€ΠΈ Π²Ρ‹Π±ΠΎΡ€Π΅ ΠΊΠ°Ρ€Ρ‚Ρ‹ памяти для автомобиля являСтся рСсурс пСрСзаписи, измСряСмый Π² Ρ†ΠΈΠΊΠ»Π°Ρ… P/E (Program/Erase cycles). Π˜ΡΡ‚ΠΎΡ€ΠΈΡ‡Π΅ΡΠΊΠΈ слоТилось, Ρ‡Ρ‚ΠΎ MLC ΠΏΠ°ΠΌΡΡ‚ΡŒ Π²Ρ‹Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠΈΠ²Π°Π΅Ρ‚ ΠΎΡ‚ 3000 Π΄ΠΎ 10000 Ρ†ΠΈΠΊΠ»ΠΎΠ² пСрСзаписи, Π² Ρ‚ΠΎ врСмя ΠΊΠ°ΠΊ Ρ€Π°Π½Π½ΠΈΠ΅ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·Ρ†Ρ‹ TLC Π΅Π΄Π²Π° дотягивали Π΄ΠΎ 500-1000 Ρ†ΠΈΠΊΠ»ΠΎΠ². Для видСорСгистратора, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ Π²Π΅Π΄Π΅Ρ‚ запись Π² цикличСском Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ 24/7, этот ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ являСтся ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡΡŽΡ‰ΠΈΠΌ Ρ„Π°ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ срока слуТбы.

Однако Π½Π΅ стоит ΡΠ±Ρ€Π°ΡΡ‹Π²Π°Ρ‚ΡŒ со счСтов Ρ€Π°Π·Π²ΠΈΡ‚ΠΈΠ΅ Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΉ. БоврСмСнная TLC ΠΏΠ°ΠΌΡΡ‚ΡŒ, особСнно Π² сочСтании с 3D-структурой (3D NAND), Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ ΡƒΠ»ΡƒΡ‡ΡˆΠΈΠ»Π° свои ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Ρ‚Π΅Π»ΠΈ. ΠŸΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»ΠΈ Π½Π°ΡƒΡ‡ΠΈΠ»ΠΈΡΡŒ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ΅Π½ΡΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΈΠΉ рСсурс ячССк Π·Π° счСт увСличСния объСма ΠΈ использования Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ ΡΠΎΠ²Π΅Ρ€ΡˆΠ΅Π½Π½Ρ‹Ρ… ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€ΠΎΠ². Π’Π΅ΠΌ Π½Π΅ ΠΌΠ΅Π½Π΅Π΅, Π² Π°Π±ΡΠΎΠ»ΡŽΡ‚Π½Ρ‹Ρ… Ρ†ΠΈΡ„Ρ€Π°Ρ… SLC ΠΈ MLC всС Π΅Ρ‰Π΅ ΠΎΡΡ‚Π°ΡŽΡ‚ΡΡ Π»ΠΈΠ΄Π΅Ρ€Π°ΠΌΠΈ ΠΏΠΎ надСТности Π² условиях постоянной пСрСзаписи.

Рассмотрим влияниС Ρ‚ΠΈΠΏΠ° памяти Π½Π° Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρƒ Π² ΠΏΠ°Ρ€Π΅ с ΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½ΠΎΠΉ систСмой Android Auto ΠΈΠ»ΠΈ ΡˆΡ‚Π°Ρ‚Π½Ρ‹ΠΌΠΈ Π³ΠΎΠ»ΠΎΠ²Π½Ρ‹ΠΌΠΈ устройствами. ΠŸΡ€ΠΈ установкС тяТСлых ΠΏΡ€ΠΈΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΈΠΉ, ΠΊΠ°Ρ€Ρ‚ Π½Π°Π²ΠΈΠ³Π°Ρ†ΠΈΠΈ ΠΈ кэша ΠΌΡƒΠ·Ρ‹ΠΊΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… сСрвисов, происходит постоянная фоновая запись Π»ΠΎΠ³ΠΎΠ² ΠΈ Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½Ρ‹Ρ… Ρ„Π°ΠΉΠ»ΠΎΠ². Если Π²Ρ‹ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚Π΅ ΠΊΠ°Ρ€Ρ‚Ρƒ с Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΈΠΌ рСсурсом, ΠΎΠ½Π° ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ быстро ΠΈΡΡ‡Π΅Ρ€ΠΏΠ°Ρ‚ΡŒ свой Π»ΠΈΠΌΠΈΡ‚ ΠΈ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΉΡ‚ΠΈ Π² Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ Β«Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ Ρ‡Ρ‚Π΅Π½ΠΈΠ΅Β», послС Ρ‡Π΅Π³ΠΎ устройство пСрСстанСт Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΎΠ½ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΊΠΎΡ€Ρ€Π΅ΠΊΡ‚Π½ΠΎ.

πŸ“Š Какой Ρ‚ΠΈΠΏ памяти Π²Ρ‹ ΠΏΡ€Π΅Π΄ΠΏΠΎΡ‡ΠΈΡ‚Π°Π΅Ρ‚Π΅ для автоэлСктроники?
MLC (Π½Π°Π΄Π΅ΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ)
TLC (объСм/Ρ†Π΅Π½Π°)
НС знаю, Π±Π΅Ρ€Ρƒ Ρ‡Ρ‚ΠΎ дСшСвлС
SDXC/UHS-II нСзависимо ΠΎΡ‚ Ρ‚ΠΈΠΏΠ°

Π’Π°ΠΆΠ½ΠΎ ΡƒΡ‡ΠΈΡ‚Ρ‹Π²Π°Ρ‚ΡŒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ€Π΅Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ срок слуТбы зависит Π½Π΅ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ ΠΎΡ‚ Ρ‚ΠΈΠΏΠ° ячССк, Π½ΠΎ ΠΈ ΠΎΡ‚ Π°Π»Π³ΠΎΡ€ΠΈΡ‚ΠΌΠΎΠ² выравнивания износа (Wear Leveling). Π”Π΅ΡˆΠ΅Π²Ρ‹Π΅ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€Ρ‹ Π² Π±ΡŽΠ΄ΠΆΠ΅Ρ‚Π½Ρ‹Ρ… ΠΊΠ°Ρ€Ρ‚Π°Ρ… памяти часто нСэффСктивно Ρ€Π°ΡΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡΡŽΡ‚ запись, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ ΠΊ быстрому Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Ρƒ ΠΈΠ· строя ΠΎΡ‚Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… Π±Π»ΠΎΠΊΠΎΠ². Π’ Π΄ΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΈΡ… модСлях, Π΄Π°ΠΆΠ΅ Π½Π° Π±Π°Π·Π΅ TLC, этот процСсс ΠΎΠΏΡ‚ΠΈΠΌΠΈΠ·ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΎΠ΄Π»Π΅Π²Π°Π΅Ρ‚ Тизнь Π½Π°ΠΊΠΎΠΏΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŽ.

БкоростныС характСристики ΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ

Π‘ΠΊΠΎΡ€ΠΎΡΡ‚ΡŒ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ накопитСля Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΌΡƒΡŽ влияСт Π½Π° быстродСйствиС всСй ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΌΠ΅Π΄ΠΈΠΉΠ½ΠΎΠΉ систСмы. Π—Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠ° ΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½ΠΎΠΉ систСмы, запуск Π½Π°Π²ΠΈΠ³Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π°, ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ Ρ‚Ρ€Π΅ΠΊΠΎΠ² ΠΈ воспроизвСдСниС Π²ΠΈΠ΄Π΅ΠΎ высокого Ρ€Π°Π·Ρ€Π΅ΡˆΠ΅Π½ΠΈΡ β€” всС эти ΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ зависят ΠΎΡ‚ скорости чтСния ΠΈ записи. MLC ΠΏΠ°ΠΌΡΡ‚ΡŒ Ρ‚Ρ€Π°Π΄ΠΈΡ†ΠΈΠΎΠ½Π½ΠΎ обСспСчиваСт Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ высокиС ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Ρ‚Π΅Π»ΠΈ скорости случайного доступа, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΊΡ€ΠΈΡ‚ΠΈΡ‡Π½ΠΎ для Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ ΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹Ρ… систСм.

Π’ сцСнариях ΠΏΠΎΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ записи (Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€, запись Π²ΠΈΠ΄Π΅ΠΎ 4K с рСгистратора) Ρ€Π°Π·Π½ΠΈΡ†Π° ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ ΠΌΠ΅Π½Π΅Π΅ Π·Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Π½Π°, Π½ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π΅ с ΠΌΠ΅Π»ΠΊΠΈΠΌΠΈ Ρ„Π°ΠΉΠ»Π°ΠΌΠΈ (систСмныС Π»ΠΎΠ³ΠΈ, кэш ΠΊΠ°Ρ€Ρ‚) TLC ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π΄Π΅ΠΌΠΎΠ½ΡΡ‚Ρ€ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ просадки ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΠΈ. Π­Ρ‚ΠΎ связано с Ρ‚Π΅ΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€Ρƒ трСбуСтся большС Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½ΠΈ Π½Π° ΠΏΠΎΠ΄Π³ΠΎΡ‚ΠΎΠ²ΠΊΡƒ ячСйки ΠΊ записи ΠΈ Π²Π΅Ρ€ΠΈΡ„ΠΈΠΊΠ°Ρ†ΠΈΡŽ Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Ρ…. Π’ Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Π΅ интСрфСйс ΠΌΠ°Π³Π½ΠΈΡ‚ΠΎΠ»Ρ‹ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΏΠΎΠ΄Ρ‚ΠΎΡ€ΠΌΠ°ΠΆΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒ.

Π‘ΠΎΠ²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½Ρ‹Π΅ стандарты интСрфСйсов, Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠ΅ ΠΊΠ°ΠΊ UHS-I ΠΈ UHS-II, частично Π½ΠΈΠ²Π΅Π»ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‚ Ρ€Π°Π·Π½ΠΈΡ†Ρƒ Π² скорости самих ячССк, Π½ΠΎ физичСский ΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π» скорости записи Ρƒ TLC всС ΠΆΠ΅ Π½ΠΈΠΆΠ΅. ΠŸΡ€ΠΈ Π·Π°ΠΏΠΎΠ»Π½Π΅Π½ΠΈΠΈ Π±ΡƒΡ„Π΅Ρ€Π° SLC-кэша (ΡΠΏΠ΅Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ области быстрой памяти) ΡΠΊΠΎΡ€ΠΎΡΡ‚ΡŒ записи Π½Π° TLC ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΏΠ°Π΄Π°Ρ‚ΡŒ Π² Ρ€Π°Π·Ρ‹, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Ρ‚ ΠΊ ΠΏΡ€Π΅Ρ€Ρ‹Π²Π°Π½ΠΈΡŽ видСозаписи ΠΈΠ»ΠΈ ΠΏΠΎΡ‚Π΅Ρ€Π΅ ΠΊΠ°Π΄Ρ€ΠΎΠ².

ΠŸΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ MLC (Multi-Level Cell) TLC (Triple-Level Cell) ВлияниС Π½Π° автоэлСктронику
Π‘ΠΈΡ‚ Π½Π° ячСйку 2 Π±ΠΈΡ‚Π° 3 Π±ΠΈΡ‚Π° ΠžΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡΠ΅Ρ‚ ΠΏΠ»ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΈ Π½Π°Π΄Π΅ΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ
РСсурс (Ρ†ΠΈΠΊΠ»Ρ‹ P/E) 3000 - 10000 500 - 3000 (обычная), Π΄ΠΎ 10000 (3D TLC) Π‘Ρ€ΠΎΠΊ слуТбы рСгистратора/Π½Π°Π²ΠΈΠ³Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π°
Π‘ΠΊΠΎΡ€ΠΎΡΡ‚ΡŒ записи Высокая, ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½Π°Ρ БрСдняя, Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½Ρ‹ просадки ΠŸΠ»Π°Π²Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ интСрфСйса Android
Π­Π½Π΅Ρ€Π³ΠΎΠΏΠΎΡ‚Ρ€Π΅Π±Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ НиТС Π’Ρ‹ΡˆΠ΅ Π’Π°ΠΆΠ½ΠΎ для Π°Π²Ρ‚ΠΎΠ½ΠΎΠΌΠ½Ρ‹Ρ… рСгистраторов
Π‘Ρ‚ΠΎΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ Высокая Низкая Π˜Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎΠ²Π°Ρ Ρ†Π΅Π½Π° Π°ΠΏΠ³Ρ€Π΅ΠΉΠ΄Π°
πŸ’‘

Для видСорСгистраторов Π²Ρ‹Π±ΠΈΡ€Π°ΠΉΡ‚Π΅ ΠΊΠ°Ρ€Ρ‚Ρ‹ с ΠΌΠ°Ρ€ΠΊΠΈΡ€ΠΎΠ²ΠΊΠΎΠΉ Β«High EnduranceΒ» ΠΈΠ»ΠΈ Β«IndustrialΒ», нСзависимо ΠΎΡ‚ Ρ‚ΠΈΠΏΠ° памяти, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ ΠΎΠ½ΠΈ ΠΎΠΏΡ‚ΠΈΠΌΠΈΠ·ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Ρ‹ для Π½Π΅ΠΏΡ€Π΅Ρ€Ρ‹Π²Π½ΠΎΠΉ записи.

ВлияниС Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€ ΠΈ условий эксплуатации

ΠΠ²Ρ‚ΠΎΠΌΠΎΠ±ΠΈΠ»ΡŒ β€” это агрСссивная срСда для элСктроники. Π”ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‡ΠΈΡ… Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€ для стандартной ΠΏΠΎΡ‚Ρ€Π΅Π±ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΡΠΊΠΎΠΉ элСктроники ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ составляСт ΠΎΡ‚ 0 Π΄ΠΎ +70 градусов ЦСльсия. Однако Π² Ρ€Π΅Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΠΈ Π»Π΅Ρ‚ΠΎΠΌ Π½Π° солнцС корпус рСгистратора ΠΈΠ»ΠΈ ΠΌΠ°Π³Π½ΠΈΡ‚ΠΎΠ»Ρ‹ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π½Π°Π³Ρ€Π΅Π²Π°Ρ‚ΡŒΡΡ Π΄ΠΎ +85 ΠΈ Π²Ρ‹ΡˆΠ΅. MLC ΠΏΠ°ΠΌΡΡ‚ΡŒ благодаря своСй структурС ΠΌΠ΅Π½Π΅Π΅ Ρ‡ΡƒΠ²ΡΡ‚Π²ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Π° ΠΊ Ρ‚Π΅ΠΏΠ»ΠΎΠ²ΠΎΠΌΡƒ Π²ΠΎΠ·Π΄Π΅ΠΉΡΡ‚Π²ΠΈΡŽ ΠΈ Ρ€Π΅ΠΆΠ΅ Π²Ρ‹Π΄Π°Π΅Ρ‚ ошибки ΠΏΡ€ΠΈ высоких Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π°Ρ….

Π—ΠΈΠΌΠ½ΠΈΠ΅ ΠΌΠΎΡ€ΠΎΠ·Ρ‹ Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΠΏΡ€Π΅Π΄ΡΡ‚Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‚ ΠΎΠΏΠ°ΡΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ. ΠŸΡ€ΠΈ Ρ€Π΅Π·ΠΊΠΎΠΌ ΠΎΡ…Π»Π°ΠΆΠ΄Π΅Π½ΠΈΠΈ ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»Ρ‹ ΡΠΆΠΈΠΌΠ°ΡŽΡ‚ΡΡ, ΠΈ микроскопичСскиС Π΄Π΅Ρ„Π΅ΠΊΡ‚Ρ‹ Π² структурС TLC ячССк ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ ΡΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ критичСскими. Π₯отя соврСмСнныС Ρ‡ΠΈΠΏΡ‹ проходят тСстированиС, статистика ΠΎΡ‚ΠΊΠ°Π·ΠΎΠ² ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π² ΡΠΊΡΡ‚Ρ€Π΅ΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… климатичСских Π·ΠΎΠ½Π°Ρ… устройства Π½Π° Π±Π°Π·Π΅ MLC слуТат дольшС Π±Π΅Π· ΠΏΠΎΡ‚Π΅Ρ€ΠΈ Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Ρ….

Вибрация β€” Π΅Ρ‰Π΅ ΠΎΠ΄ΠΈΠ½ Ρ„Π°ΠΊΡ‚ΠΎΡ€. ΠŸΠΎΡΡ‚ΠΎΡΠ½Π½Π°Ρ тряска Π½Π° ΠΏΠ»ΠΎΡ…ΠΈΡ… Π΄ΠΎΡ€ΠΎΠ³Π°Ρ… Π½Π΅ влияСт Π½Π° Ρ†Π΅Π»ΠΎΡΡ‚Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΌΡƒΡŽ (Ρ‚Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ ΠΏΠ°ΠΌΡΡ‚ΡŒ Ρ‚Π²Π΅Ρ€Π΄ΠΎΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Π°Ρ), Π½ΠΎ влияСт Π½Π° ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Ρ‹ ΠΈ Π½Π°Π³Ρ€Π΅Π². ΠŸΠ΅Ρ€Π΅Π³Ρ€Π΅Π² Π² сочСтании с Π²ΠΈΠ±Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠ΅ΠΉ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΡƒΡΠΊΠΎΡ€ΠΈΡ‚ΡŒ Π΄Π΅Π³Ρ€Π°Π΄Π°Ρ†ΠΈΡŽ ΠΌΠ΅Π½Π΅Π΅ Π½Π°Π΄Π΅ΠΆΠ½Ρ‹Ρ… TLC Ρ‡ΠΈΠΏΠΎΠ². ΠŸΠΎΡΡ‚ΠΎΠΌΡƒ для Ρ€Π΅Π³ΠΈΠΎΠ½ΠΎΠ² с суровым ΠΊΠ»ΠΈΠΌΠ°Ρ‚ΠΎΠΌ ΠΈ ΠΏΠ»ΠΎΡ…ΠΈΠΌΠΈ Π΄ΠΎΡ€ΠΎΠ³Π°ΠΌΠΈ Π²Ρ‹Π±ΠΎΡ€ Π² сторону Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ Π½Π°Π΄Π΅ΠΆΠ½ΠΎΠΉ Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΈ выглядит ΠΎΠΏΡ€Π°Π²Π΄Π°Π½Π½Ρ‹ΠΌ.

⚠️ Π’Π½ΠΈΠΌΠ°Π½ΠΈΠ΅: Если вашС устройство установлСно Π½Π° Π»ΠΎΠ±ΠΎΠ²ΠΎΠΌ стСклС ΠΈ подвСргаСтся прямому Π²ΠΎΠ·Π΄Π΅ΠΉΡΡ‚Π²ΠΈΡŽ солнСчных Π»ΡƒΡ‡Π΅ΠΉ, риск ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π³Ρ€Π΅Π²Π° ΠΈ ΠΏΠΎΡ‚Π΅Ρ€ΠΈ Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… Π½Π° TLC-ΠΊΠ°Ρ€Ρ‚Π°Ρ… возрастаСт ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎΠΊΡ€Π°Ρ‚Π½ΠΎ.

НСкоторыС ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»ΠΈ Π°Π²Ρ‚ΠΎΠΌΠΎΠ±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ элСктроники ΡΠΏΠ΅Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎ ΠΊΠ°Π»ΠΈΠ±Ρ€ΡƒΡŽΡ‚ свои устройства ΠΏΠΎΠ΄ ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΈΠΏ памяти. ИспользованиС слишком быстрой ΠΈΠ»ΠΈ, Π½Π°ΠΎΠ±ΠΎΡ€ΠΎΡ‚, ΠΌΠ΅Π΄Π»Π΅Π½Π½ΠΎΠΉ ΠΊΠ°Ρ€Ρ‚Ρ‹ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ привСсти ΠΊ Π½Π΅ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π΅. ВсСгда провСряйтС Ρ€Π΅ΠΊΠΎΠΌΠ΅Π½Π΄Π°Ρ†ΠΈΠΈ производитСля вашСго Π³ΠΎΠ»ΠΎΠ²Π½ΠΎΠ³ΠΎ устройства ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ Ρ‚ΠΈΠΏΠ° ΠΈ объСма ΠΏΠΎΠ΄Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠΈΠ²Π°Π΅ΠΌΡ‹Ρ… ΠΊΠ°Ρ€Ρ‚ памяти ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄ ΠΏΠΎΠΊΡƒΠΏΠΊΠΎΠΉ.

ЭкономичСская Ρ†Π΅Π»Π΅ΡΠΎΠΎΠ±Ρ€Π°Π·Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΈ Π΄ΠΎΡΡ‚ΡƒΠΏΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ

На Ρ‚Π΅ΠΊΡƒΡ‰Π΅ΠΌ Ρ€Ρ‹Π½ΠΊΠ΅ ΠΏΠΎΡ‚Ρ€Π΅Π±ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΡΠΊΠΎΠΉ элСктроники Π½Π°ΠΉΡ‚ΠΈ Ρ‡ΠΈΡΡ‚ΡƒΡŽ MLC ΠΏΠ°ΠΌΡΡ‚ΡŒ становится всС слоТнСС. ΠŸΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»ΠΈ массово пСрСходят Π½Π° TLC ΠΈ QLC (Quad-Level Cell) ΠΈΠ·-Π·Π° экономичСской эффСктивности. Π­Ρ‚ΠΎ позволяСт ΡΠΎΠ·Π΄Π°Π²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΊΠ°Ρ€Ρ‚Ρ‹ ΠΎΠ³Ρ€ΠΎΠΌΠ½Ρ‹Ρ… объСмов (256 Π“Π±, 512 Π“Π±, 1 Π’Π±) ΠΏΠΎ доступной Ρ†Π΅Π½Π΅. Для срСднСстатистичСского ΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»Ρ, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ Π½Π°Π²ΠΈΠ³Π°Ρ‚ΠΎΡ€ ΠΏΠ°Ρ€Ρƒ Ρ€Π°Π· Π² нСдСлю, Ρ€Π°Π·Π½ΠΈΡ†Π° Π² надСТности ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ Π½Π΅ ΡΡ‚ΠΎΠ»ΡŒ ΠΊΡ€ΠΈΡ‚ΠΈΡ‡Π½Π°, ΠΊΠ°ΠΊ Ρ€Π°Π·Π½ΠΈΡ†Π° Π² Ρ†Π΅Π½Π΅.

Если Π²Π°ΠΌ Π½ΡƒΠΆΠ½Π° ΠΊΠ°Ρ€Ρ‚Π° объСмом 32-64 Π“Π± для рСгистратора, ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΏΠ»Π°Ρ‡ΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Π·Π° MLC (Ссли удастся Π½Π°ΠΉΡ‚ΠΈ) ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ нСцСлСсообразно, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ соврСмСнныС TLC ΠΊΠ°Ρ€Ρ‚Ρ‹ Π±ΡŽΠ΄ΠΆΠ΅Ρ‚Π½ΠΎΠ³ΠΎ сСгмСнта Π²ΠΏΠΎΠ»Π½Π΅ ΡΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ с этой Π·Π°Π΄Π°Ρ‡Π΅ΠΉ Π² Ρ‚Π΅Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π³Π°Ρ€Π°Π½Ρ‚ΠΈΠΉΠ½ΠΎΠ³ΠΎ срока. Однако для создания Π·Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΎΡ‡Π½ΠΎΠΉ Ρ„Π»Π΅ΡˆΠΊΠΈ с ΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½ΠΎΠΉ систСмой Android для ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΠΉ ΠΌΠ°Π³Π½ΠΈΡ‚ΠΎΠ»Ρ‹, Π³Π΄Π΅ Π²Π°ΠΆΠ½Π° ΡΠΊΠΎΡ€ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΎΡ‚ΠΊΠ»ΠΈΠΊΠ°, Π»ΡƒΡ‡ΡˆΠ΅ ΠΏΠΎΠΈΡΠΊΠ°Ρ‚ΡŒ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ качСствСнныС Ρ€Π΅ΡˆΠ΅Π½ΠΈΡ.

Π‘Ρ‚ΠΎΠΈΡ‚ Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΡƒΡ‡ΠΈΡ‚Ρ‹Π²Π°Ρ‚ΡŒ ΡΡ‚ΠΎΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ владСния. Π”Π΅ΡˆΠ΅Π²Π°Ρ TLC ΠΊΠ°Ρ€Ρ‚Π° ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π²Ρ‹ΠΉΡ‚ΠΈ ΠΈΠ· строя Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· Π³ΠΎΠ΄, ΠΏΠΎΡ‚Ρ€Π΅Π±ΠΎΠ²Π°Π² Π·Π°ΠΌΠ΅Π½Ρ‹. ΠšΠ°Ρ‡Π΅ΡΡ‚Π²Π΅Π½Π½Π°Ρ MLC ΠΈΠ»ΠΈ топовая TLC ΠΊΠ°Ρ€Ρ‚Π° с Ρ…ΠΎΡ€ΠΎΡˆΠΈΠΌ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€ΠΎΠΌ прослуТит 3-5 Π»Π΅Ρ‚. Π’ пСрСсчСтС Π½Π° срок слуТбы Ρ€Π°Π·Π½ΠΈΡ†Π° Π² Ρ†Π΅Π½Π΅ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΎΠΊΠ°Π·Π°Ρ‚ΡŒΡΡ нСсущСствСнной.

β˜‘οΈ ΠšΡ€ΠΈΡ‚Π΅Ρ€ΠΈΠΈ Π²Ρ‹Π±ΠΎΡ€Π° ΠΊΠ°Ρ€Ρ‚Ρ‹ памяти для Π°Π²Ρ‚ΠΎ

Π’Ρ‹ΠΏΠΎΠ»Π½Π΅Π½ΠΎ: 0 / 5

Π‘ΠΎΠ²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½Ρ‹Π΅ Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΈ: 3D NAND ΠΈ pSLC

ВСхнологичСский прогрСсс Π½Π΅ стоит Π½Π° мСстС, ΠΈ Π³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ†Π° ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ MLC ΠΈ TLC размываСтся благодаря Π²Π½Π΅Π΄Ρ€Π΅Π½ΠΈΡŽ 3D NAND. Π’ этой Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΈ ячСйки памяти Π²Ρ‹ΡΡ‚Ρ€Π°ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‚ΡΡ Π² Π²Π΅Ρ€Ρ‚ΠΈΠΊΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ слои, Ρ‡Ρ‚ΠΎ позволяСт ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΏΠ»ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ записи Π±Π΅Π· ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ΅Π½ΠΈΡ физичСского Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€Π° элСмСнтов. Π­Ρ‚ΠΎ ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ сказываСтся Π½Π° надСТности TLC, приблиТая Π΅Π΅ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Ρ‚Π΅Π»ΠΈ ΠΊ MLC.

БущСствуСт Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ pSLC (pseudo-SLC), ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° TLC ΠΏΠ°ΠΌΡΡ‚ΡŒ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π΅Ρ‚ Π² Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ записи ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ Π±ΠΈΡ‚Π° Π½Π° ячСйку. Π­Ρ‚ΠΎ Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ ΠΏΠΎΠ²Ρ‹ΡˆΠ°Π΅Ρ‚ ΡΠΊΠΎΡ€ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΈ рСсурс, Π½ΠΎ ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ°Π΅Ρ‚ доступный объСм Π² 3 Ρ€Π°Π·Π°. НСкоторыС ΠΏΡ€ΠΎΠΌΡ‹ΡˆΠ»Π΅Π½Π½Ρ‹Π΅ ΠΈ Π°Π²Ρ‚ΠΎΠΌΠΎΠ±ΠΈΠ»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ Π½Π°ΠΊΠΎΠΏΠΈΡ‚Π΅Π»ΠΈ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ ΠΈΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎ этот Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ для критичСски Π²Π°ΠΆΠ½Ρ‹Ρ… Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Ρ…, обСспСчивая Π½Π°Π΄Π΅ΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ SLC ΠΏΡ€ΠΈ Ρ†Π΅Π½Π΅ TLC.

ΠŸΡ€ΠΈ Π²Ρ‹Π±ΠΎΡ€Π΅ накопитСля для автомобиля сСгодня Π²Π°ΠΆΠ½Π΅Π΅ ΡΠΌΠΎΡ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒ Π½Π΅ Π½Π° Π°Π±Π±Ρ€Π΅Π²ΠΈΠ°Ρ‚ΡƒΡ€Ρƒ Ρ‚ΠΈΠΏΠ° памяти, Π° Π½Π° ΠΏΠΎΠ·ΠΈΡ†ΠΈΠΎΠ½ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ ΠΏΡ€ΠΎΠ΄ΡƒΠΊΡ‚Π°. Π›ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠΊΠΈ Β«IndustrialΒ», Β«AutomotiveΒ» ΠΈΠ»ΠΈ Β«High EnduranceΒ» часто ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ ΠΎΠΏΡ‚ΠΈΠΌΠΈΠ·ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹Π΅ вСрсии TLC ΠΈΠ»ΠΈ MLC с усилСнным ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€ΠΎΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π΄Π΅Π»Π°Π΅Ρ‚ ΠΈΡ… Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ ΠΏΡ€Π΅Π΄ΠΏΠΎΡ‡Ρ‚ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌΠΈ, Ρ‡Π΅ΠΌ обычная ΠΏΠΎΡ‚Ρ€Π΅Π±ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΡΠΊΠ°Ρ ΠΏΠ°ΠΌΡΡ‚ΡŒ любого Ρ‚ΠΈΠΏΠ°.

Π§Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅ SLC кэш Π² TLC памяти?

SLC кэш β€” это выдСлСнная ΠΎΠ±Π»Π°ΡΡ‚ΡŒ Π½Π° TLC ΠΊΠ°Ρ€Ρ‚Π΅ памяти, которая Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π΅Ρ‚ Π² ΠΎΠ΄nobΠΈΡ‚ΠΎΠ²ΠΎΠΌ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅. Она ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ для Π±ΡƒΡ„Π΅Ρ€ΠΈΠ·Π°Ρ†ΠΈΠΈ Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… ΠΏΡ€ΠΈ быстрой записи. Когда кэш пСрСполняСтся, ΡΠΊΠΎΡ€ΠΎΡΡ‚ΡŒ записи ΠΏΠ°Π΄Π°Π΅Ρ‚ Π΄ΠΎ Π½Π°Ρ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΠΉ скорости TLC, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π²Ρ‹Π·Π²Π°Ρ‚ΡŒ Β«Ρ„Ρ€ΠΈΠ·Ρ‹Β» Π² систСмС.

Π˜Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎΠ²Ρ‹Π΅ Ρ€Π΅ΠΊΠΎΠΌΠ΅Π½Π΄Π°Ρ†ΠΈΠΈ ΠΏΠΎ Π²Ρ‹Π±ΠΎΡ€Ρƒ

Подводя ΠΈΡ‚ΠΎΠ³, ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΡΠΊΠ°Π·Π°Ρ‚ΡŒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ идСального Ρ€Π΅ΡˆΠ΅Π½ΠΈΡ для всСх случаСв Π½Π΅ сущСствуСт, Π½ΠΎ Π΅ΡΡ‚ΡŒ ΠΎΠΏΡ‚ΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ сцСнарии использования. Если Π²Ρ‹ собираСтС систСму для коммСрчСского транспорта, такси ΠΈΠ»ΠΈ просто Ρ…ΠΎΡ‚ΠΈΡ‚Π΅ ΠΏΠΎΡΡ‚Π°Π²ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΊΠ°Ρ€Ρ‚Ρƒ Π² рСгистратор ΠΈ Π·Π°Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ ΠΎ Π½Π΅ΠΉ Π½Π° Π³ΠΎΠ΄Ρ‹ β€” ΠΈΡ‰ΠΈΡ‚Π΅ Ρ€Π΅ΡˆΠ΅Π½ΠΈΡ Π½Π° Π±Π°Π·Π΅ MLC ΠΈΠ»ΠΈ спСциализированныС Π°Π²Ρ‚ΠΎΠΌΠΎΠ±ΠΈΠ»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ ΠΊΠ°Ρ€Ρ‚Ρ‹. ΠΠ°Π΄Π΅ΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ здСсь Π²Π°ΠΆΠ½Π΅Π΅ объСма.

Для Ρ€Π°Π·Π²Π»Π΅ΠΊΠ°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… систСм, ΠΏΡ€ΠΎΡΠ»ΡƒΡˆΠΈΠ²Π°Π½ΠΈΡ ΠΌΡƒΠ·Ρ‹ΠΊΠΈ ΠΈ пСриодичСского использования Π½Π°Π²ΠΈΠ³Π°Ρ†ΠΈΠΈ Π²ΠΏΠΎΠ»Π½Π΅ ΠΏΠΎΠ΄ΠΎΠΉΠ΄Π΅Ρ‚ качСствСнная TLC ΠΏΠ°ΠΌΡΡ‚ΡŒ ΠΎΡ‚ извСстного Π±Ρ€Π΅Π½Π΄Π°. Π“Π»Π°Π²Π½ΠΎΠ΅ β€” Π½Π΅ Π³Π½Π°Ρ‚ΡŒΡΡ Π·Π° минимальной Ρ†Π΅Π½ΠΎΠΉ ΠΈ ΠΈΠ·Π±Π΅Π³Π°Ρ‚ΡŒ бСзымянных китайских ΠΊΠ°Ρ€Ρ‚, Π³Π΄Π΅ Ρ‚ΠΈΠΏ памяти ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ Π»ΡŽΠ±Ρ‹ΠΌ, Π° ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€ β€” самым Π΄Π΅ΡˆΠ΅Π²Ρ‹ΠΌ.

ВсСгда ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‰Π°ΠΉΡ‚Π΅ Π²Π½ΠΈΠΌΠ°Π½ΠΈΠ΅ Π½Π° класс скорости ΠΈ стандарты UHS. Π”Π°ΠΆΠ΅ самая надСТная MLC ΠΊΠ°Ρ€Ρ‚Π° с Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΈΠΌ классом скорости (Class 4 ΠΈΠ»ΠΈ 6) Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ Ρ‚ΠΎΡ€ΠΌΠΎΠ·ΠΈΡ‚ΡŒ Π² соврСмСнной ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΌΠ΅Π΄ΠΈΠΉΠ½ΠΎΠΉ систСмС. Баланс ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Ρ‚ΠΈΠΏΠΎΠΌ ячССк, ΡΠΊΠΎΡ€ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€Π° ΠΈ условиями эксплуатации β€” Π²ΠΎΡ‚ Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΡƒΠ»Π° ΡƒΡΠΏΠ΅ΡˆΠ½ΠΎΠ³ΠΎ Π²Ρ‹Π±ΠΎΡ€Π°.

πŸ’‘

Для видСорСгистраторов ΠΏΡ€ΠΈΠΎΡ€ΠΈΡ‚Π΅Ρ‚ΠΎΠΌ являСтся рСсурс пСрСзаписи (MLC ΠΈΠ»ΠΈ High Endurance TLC), Π° для ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΌΠ΅Π΄ΠΈΠΉΠ½Ρ‹Ρ… систСм β€” ΡΠΊΠΎΡ€ΠΎΡΡ‚ΡŒ чтСния ΠΈ случайного доступа.

МоТно Π»ΠΈ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΡƒΡŽ ΠΊΠ°Ρ€Ρ‚Ρƒ памяти ΠΈΠ· Ρ‚Π΅Π»Π΅Ρ„ΠΎΠ½Π° Π² видСорСгистраторС?

ВСхничСски ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ, Π½ΠΎ Π½Π΅ рСкомСндуСтся. ΠšΠ°Ρ€Ρ‚Ρ‹ ΠΈΠ· Ρ‚Π΅Π»Π΅Ρ„ΠΎΠ½ΠΎΠ² ΠΎΠΏΡ‚ΠΈΠΌΠΈΠ·ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Ρ‹ для Ρ€Π΅Π΄ΠΊΠΎΠΉ записи Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠΈΡ… Ρ„Π°ΠΉΠ»ΠΎΠ² (Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎ, Π²ΠΈΠ΄Π΅ΠΎ), Π° Π½Π΅ для постоянной цикличСской пСрСзаписи, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΡƒΡŽ Π²Π΅Π΄Π΅Ρ‚ рСгистратор. Вакая ΠΊΠ°Ρ€Ρ‚Π° быстро Π²Ρ‹ΠΉΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΈΠ· строя.

ΠŸΡ€Π°Π²Π΄Π° Π»ΠΈ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ MLC ΠΏΠ°ΠΌΡΡ‚ΡŒ ΡƒΠΆΠ΅ Π½Π΅ производится?

Π’ массовом ΠΏΠΎΡ‚Ρ€Π΅Π±ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΡΠΊΠΎΠΌ сСгмСнтС (ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½Ρ‹Π΅ Ρ„Π»Π΅ΡˆΠΊΠΈ, ΠΊΠ°Ρ€Ρ‚Ρ‹ microSD) чистая MLC практичСски исчСзла, уступив мСсто TLC ΠΈ QLC. Однако Π² ΠΏΡ€ΠΎΠΌΡ‹ΡˆΠ»Π΅Π½Π½ΠΎΠΌ сСгмСнтС ΠΈ для спСциализированных устройств (SSD для сСрвСров, Π°Π²Ρ‚ΠΎΠΌΠΎΠ±ΠΈΠ»ΡŒΠ½Π°Ρ элСктроника) MLC ΠΏΡ€ΠΎΠ΄ΠΎΠ»ΠΆΠ°Π΅Ρ‚ ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ΡŒΡΡ ΠΈ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒΡΡ.

Как ΠΏΡ€ΠΎΠ΄Π»ΠΈΡ‚ΡŒ Тизнь ΠΊΠ°Ρ€Ρ‚Π΅ памяти Π² Π°Π²Ρ‚ΠΎΠΌΠΎΠ±ΠΈΠ»Π΅?

Π‘Ρ‚Π°Ρ€Π°ΠΉΡ‚Π΅ΡΡŒ Π½Π΅ ΠΎΡΡ‚Π°Π²Π»ΡΡ‚ΡŒ устройство ΠΏΠΎΠ΄ прямыми солнСчными Π»ΡƒΡ‡Π°ΠΌΠΈ Π² ΠΆΠ°Ρ€Ρƒ. РСгулярно (Ρ€Π°Π· Π² ΠΏΠΎΠ»Π³ΠΎΠ΄Π°) провСряйтС ΠΊΠ°Ρ€Ρ‚Ρƒ Π½Π° ошибки ΠΈ Π΄Π΅Π»Π°ΠΉΡ‚Π΅ Ρ€Π΅Π·Π΅Ρ€Π²Π½Ρ‹Π΅ ΠΊΠΎΠΏΠΈΠΈ Π²Π°ΠΆΠ½Ρ‹Ρ… записСй Π½Π° ΠΊΠΎΠΌΠΏΡŒΡŽΡ‚Π΅Ρ€, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΡΠ½ΠΈΠ·ΠΈΡ‚ΡŒ количСство Ρ†ΠΈΠΊΠ»ΠΎΠ² пСрСзаписи Π²Π½ΡƒΡ‚Ρ€ΠΈ самой ΠΊΠ°Ρ€Ρ‚Ρ‹ ΠΏΡ€ΠΈ Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠ°Ρ‚ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠΈ.

ВлияСт Π»ΠΈ Ρ‚ΠΈΠΏ памяти Π½Π° ΡΠΊΠΎΡ€ΠΎΡΡ‚ΡŒ Π·Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ Android Π² ΠΌΠ°Π³Π½ΠΈΡ‚ΠΎΠ»Π΅?

Π”Π°, влияСт Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ. MLC ΠΏΠ°ΠΌΡΡ‚ΡŒ обСспСчиваСт Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ Π²Ρ‹ΡΠΎΠΊΡƒΡŽ ΡΠΊΠΎΡ€ΠΎΡΡ‚ΡŒ случайного чтСния ΠΌΠ΅Π»ΠΊΠΈΡ… Ρ„Π°ΠΉΠ»ΠΎΠ², ΠΈΠ· ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… состоит опСрационная систСма. На TLC Π·Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠ° ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π·Π°Π½ΠΈΠΌΠ°Ρ‚ΡŒ Π½Π° 20-40% большС Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½ΠΈ, особСнно Ссли ΠΊΠ°Ρ€Ρ‚Π° Π·Π°ΠΏΠΎΠ»Π½Π΅Π½Π° Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ Ρ‡Π΅ΠΌ Π½Π° 80%.